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电子元器件行业

自动管式炉

12寸晶元自动管式炉

  • 产品信息

一、设备名称、型号: 12寸晶圆自动管式炉


二、系统组成
2.1FAB上下料
 2个上下料口(并列)
 FOUP ID 识别
 Wafer位置识别
 操作启动开关

2.2晶元输送
2.2.1FBA开盖
   FOUP固定,解锁,取盖
2.2.2晶元输送机械手
   双臂式传输
   高纯度AL2O3托盘
   按规划路径将晶元从FOUP传送至炉体装  料腔中
2.2.3炉体开盖
将炉体装料腔腔门打开

2.3炉体(热处理)
2.3.1加热腔
  外部采用不锈钢外套,中部采用FEC加热器和相应保温材料,内部为石英炉管
  多层环形加热器,有效使用高度 > 1000mm
  底部通入工艺气氛,O2和N2可编程选择
  烟气冷凝回收
  底部具有自保护盖体功能
  高温焦油裂解功能
  降温方式:鼓风机将空气吹入炉管与加热器之间的夹腔,强制风冷降温。
  多路多层环形进气,保证炉膛的冷却可控
2.3.2装料腔
石英支架,处理量为100PCS 12inch晶圆
升降采用移动式滑台机构(无杆电缸),

2.4控制柜
2.4.1气源箱
对于空气,O2,N2进行逻辑控制
调节各路进气的流量
2.4.2电源箱
动力配电
仪器仪表放置
氧含量分析系统可选
2.5控制系统
人机界面采用触摸屏方式
核心控制器采用嵌入式控制器
超温保护为独立检测器件
具有氧含量检测功能
运动控制为伺服/步进控制单元
传输为专业晶元传输机器人
软件具有功能:温度控制,气氛控制,工艺编辑,数据记录,图表显示.

三、基本配置
3.1处理产品:12inch 晶圆
3.2处理量:90PCS/管,共180PCS
3.3加热器:圆形FEC加热板
3.4加热区域:>1000mm
3.5外形尺寸:
    本体:2500×3500×3500(W×D×H)
    控制柜:800×600×2200(W×D×H)
3.6上料口:2
3.7机械手:1

四、技术指标
4.1长期使用温度: 350℃,温度上限:750℃;
4.2升温速率:>30℃/min
4.3降温速率:>5℃/min
4.4加热功率:36kW(单炉);
4.5加热温区: 3个;
4.6炉温均匀性: ±7℃(350℃恒温);
4.7程序控制:P.I.D控制;
4.8温度控制方式: SSR
4.9控温热偶: K分度;
4.10气氛: N2/O2;
4.11炉膛材料:石英玻璃;
4.12保温材料:陶瓷纤维;
4.13气氛控制:多路流量计调节进气,流量计量程为24~240L/min;
4.14排气系统:在顶部设置排气烟囱,用于废气排放,回收;
4.15设备重量:约2t;

*技术细节变动之处,恕不另行通知,具体设备参数以咨询结果为准。


真萍科技作为专业的热处理设备制造厂商,可根据客户工艺需求定制您需要的满意产品,有需求的客户详情请咨询400-608-2908。

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