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湿法设备

半自动清洗设备

设备结构紧凑,净化占地面积小,造型美观、实用,操作符合人机工程原理。  适用于2”-8”基片的半导体清洗工艺中,有效去除硅/晶片表面的有机物、颗粒、金属杂质、自然氧化层及石英、塑料等附件器皿的污染物,且不破坏晶片表面特性。

  • 产品信息

产品简介
设备结构紧凑,净化占地面积小,造型美观、实用,操作符合人机工程原理。 
适用于2”-8”基片的半导体清洗工艺中,有效去除硅/晶片表面的有机物、颗粒、金属杂质、自然氧化层及石英、塑料等附件器皿的污染物,且不破坏晶片表面特性。根据不同清洗工艺配置相应的清洗单元,各部分有独立控制,随意组合;可根据用户要求配置氮、DI水枪、恒温水浴、热台、超声清洗、DI水在线加热装置、DI水电导率测试仪器等。设备结构紧凑,净化占地面积小,造型美观、实用,操作符合人机工程原理。

产品特点
1、炉前清洗:扩散前清洗。
2、光刻后清洗:除去光刻胶。
3、氧化前自动清洗:氧化前去掉硅片表面的沾污物。
4、抛光后自动清洗:除去切、磨、抛的沾污。
5、外延前清洗:除去埋层扩散后的SiO2及表面污物。
6、合金前、表面钝化前清洗:除去铝布线后,表面杂质及光胶残渣
7、离子注入后的清洗:除去光刻胶,SiO2
8、扩散预淀积后清洗:除去预淀积时的BSGPSG
9、外延前清洗:除去埋层扩散后的SiO2及表面污物。
10CVD后清洗:除去CVD过程中的颗粒。

*技术细节变动之处,恕不另行通知,具体设备参数以咨询结果为准。

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