半导体的传承和发展（一）

众所周知，在第一次蒸汽革命，第二次电气革命后，大家都认为第三次革命是信息革命，而半导体的发展优势信息化的基础。源于信息技术的需要，半导体物理，材料等的发展显得自然而然。所以，今天我们就来探讨一下半导体的前世今生。

1945年第二次世界大战结束，美国贝尔实验室成了固体物理组，1947年巴丁和布拉顿制成了世界上第一个锗点接触型三极管，具有电流放大作用，这揭开了晶体管大发展的序幕。1948年1月，肖克莱研究了另一种面结型晶体管，是平面状的，可以通过一些平面工艺进行大规模生产，晶体管的优越性才广为人知，捉奸取代了真空电子管。因为晶体管的发明，巴丁，布拉顿和肖克莱共同获得了1956年的诺贝尔物理奖。而半导体晶体管的第一个应用公司索尼公司，也因此大赚一笔。

1958年9月，基尔比制成了世界上第一个集成电路振荡器，命名为小型化电子电路。1959年2月，诺伊斯在霍尔提出的平面晶体管方法的基础上将金或铝蒸发，从而制成集成电路，命名为“半导体器件与引线结构”，集成电路走上了大规模发展的新时期。

后又因人造卫星的需要，太阳能电池被发明，因半导体发光管和激光器与太阳能电池相反的工作原理，因而在太阳能电池被发明后不久，半导体发光管和激光器也随之出现。而最后分子外延技术的出现，更是极大促进了双异质结激光器的研究进程。

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